3月，多家SiC上游材料端企业项目进展不断。

国内外SiC材料企业的扩产也正“快马加鞭”。

据统计，今年3月，包括Wolfspeed、天岳先进、天科合达、东尼电子、南砂晶圆、同光股份、天域半导体、百识电子等SiC衬底/外延企业，均有产能上的扩容进展。

根据下游市场和客户需求情况，材料企业在有序推进产能产量的提升。2024年3月，国内外SiC材料企业的产能动态如下：

Wolfspeed

Wolfspeed位于美国北卡罗来纳州查塔姆县的“John Palmour 碳化硅制造中心”封顶。该工厂将生产 8 英寸碳化硅衬底。到 2024 年底，占地 445 英亩的一期工程预计将完工，预计2025年上半年开始生产，竣工达产后，将使Wolfspeed的SiC衬底产量扩大10倍。

2023年2月初，Wolfspeed宣布计划在德国萨尔州建造全球最大、最先进的8英寸SiC器件制造工厂，这座欧洲工厂将与莫霍克谷器件工厂（已于2022年4月开业）、John Palmour SiC制造中心（即美国北卡罗来纳州SiC材料工厂，刚封顶）一起，共同构成Wolfspeed公司65亿美元产能扩张计划的重要组成部分。

天岳先进

目前，天岳先进临港工厂扩产进展顺利，产品交付有序推进。临港工厂第二阶段的产能规划也已经步入议程。

天岳先进上海临港新工厂已于2023年5月开始交付6英寸导电型SiC衬底，目前产能和产量均在持续爬坡中。按照目前的进展来看，天岳先进预计将提前实现达产。在此基础上，天岳先进在2023年下半年决定将6英寸SiC衬底的生产规模扩大至96万片/年。上海临港工厂达产后，将成为天岳先进导电型SiC衬底主要生产基地。

重投天科

重投天科第三代半导体碳化硅材料生产基地在宝安区启用，该项目总投资32.7亿元，重点布局6英寸碳化硅单晶衬底和外延生产线，预计今年衬底和外延产能达25万片，将进一步补强深圳第三代半导体“虚拟全产业链（VIDM）”。

该项目由北京天科合达半导体股份有限公司、深圳市重大产业投资集团等各方共同投资建立，建设运营主体单位为天科合达控股子公司深圳市重投天科半导体有限公司。

天科合达-江苏

江苏天科合达半导体有限公司碳化硅晶片二期扩产项目主体工程已经完成，该项目总投资8.3亿，建筑面积4.9万平方米，目前正在进行核体内外部装配施工。8月份建成后可实现年产碳化硅衬底16万片。

天科合达-北京

北京天科合达半导体碳化硅生产基地二期项目也开工，该项目总投资为20亿元，建设年限为2024年-2025年，总用地面积为52790平方米，规划总建筑规模为105100平方米，建成后计划购置长晶及附属晶体加工、晶片加工、清洗检测等工艺设备，新建6&8英寸碳化硅衬底生产线。

此外，天科合达也将产业链延伸，将启动碳化硅衬底产业化基地研发中心外延车间改造工程，预计投资2550万元改造区域的建筑装修、洁净空调系统、消防系统、工艺动力系统以及室外改造部分等。

东尼电子

此前，东尼电子在湖州市募资4.69亿元建设的“年产12万片碳化硅半导体材料”已实施完毕。在此基础上，东尼电子湖州碳化硅项目也迎来了扩建。该项目位于湖州市吴兴区织里镇，由旗下全资子公司东尼半导体负责建设。

东尼半导体计划利用东尼五期厂区的厂房进行扩建，购置包括长晶炉、研磨机、超声波清洗机等在内的421台/套晶体生产加工设备及检测仪器，以形成年产20万片碳化硅衬底材料的生产能力。

南砂晶圆

作为南砂晶圆全资子公司，中晶芯源8英寸碳化硅单晶和衬底产业化项目也迎来新进展。该项目总投资15亿元，其中环保投资 200 万元；项目占地面积 24152.71 平方米，主要进行碳化硅单晶生长和衬底加工生产，预计2025年实现满产达产。

据悉，南砂晶圆计划将中晶芯源打造成为全国最大的8英寸碳化硅衬底生产基地。

同光股份

同光股份的SiC衬底项目和粉体项目均顺利通过验收，标志着产线已全面投入生产。其中，衬底项目是公司首条SiC衬底产线的第三阶段建设项目。

目前来看，SiC衬底产线已从最初的4英寸衬底规划转型为主要生产6英寸衬底。为了进一步扩大产能，同光股份在2023年对该产线进行了改造，并计划新建一条产线，预计改造后和新建产线的投产将使产能大幅增长。理论上，完成所有建设项目后，该工厂的SiC衬底产能可提高到30万片左右。

百豪新材

浙江丽水云和县人民政府与上海百豪新材料公司、北京世宇企业管理有限公司签订大尺寸SiC单晶衬底产业化项目意向合作协议。值得一提的是，上海百豪新材料公司、北京世宇企业管理有限公司均为掌握有自主知识产权的第三代半导体企业。

天域半导体

天域半导体总部、生产制造中心和研发中心建设项目（松山湖）迎来重大项目动工，该项目总投资80亿元，建设周期为2023年-2026年，建设内容包括厂房、研发楼、宿舍以及配套设施等，建成后用于生产6英寸/8英寸碳化硅外延晶片，未来预计年产值约100亿元。

据天域半导体董事长李锡光透露，2023年，天域成功摘牌占地100亩的生态园地块，并启动了总产能150万片/每年6英寸/8英寸碳化硅外延晶片的企业总部及生产制造中心建设项目，第一期预计在2024年4月开始投产。

百识电子

百识电子也透露近期在长三角落地二期产线，产能规划28万片/年，打造全国最领先的车规级三代半外延片制造工厂。据悉，百识电子首条产线位于南京市浦口区，于2021年投产，当前年产能达5万片，客户多为全球巨头及国内龙头。同时，百识电子也宣布完成了A+轮融资。

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