盖世汽车讯 据外媒报道，东芝电子欧洲有限公司（Toshiba Electronics Europe GmbH，东芝）发布符合汽车级标准的40V、120A N沟道功率MOSFET XPJ1R504PB，该MOSFET采用S-TOGL™封装，进一步丰富了其12V系统产品线。目标应用包括逆变器、半导体继电器、负载开关和电机驱动器。东芝通过在其现有的S-TOGL™封装产品线（包括XPJR6604PB和XPJ1R004PB）中新增这款40V MOSFET，扩展了其产品选择范围，以满足各种应用和性能需求。
图片来源：东芝
近年来，随着汽车电气化的发展，逆变器和电机驱动器的应用日益广泛，推动了更高输出功率和效率的提升。为了应对这些趋势，MOSFET必须兼具低功耗和高散热性能。采用S-TOGL封装的XPJ1R504PB可实现紧凑、高密度安装，并具有出色的散热性能，从而缩小汽车设备的尺寸并提高效率。
来源：第一电动网
作者：盖世汽车
本文地址：https://www.d1ev.com/news/shichang/308052
以上内容转载自盖世汽车，目的在于传播更多信息，如有侵仅请联系admin#d1ev.com(#替换成@)删除，转载内容并不代表第一电动网（www.d1ev.com）立场。
文中图片源自互联网，如有侵权请联系admin#d1ev.com（#替换成@）删除。
先估价再买车，买的放心开的安心
您的询价信息
已经成功提交我们稍后会联系您进行报价!
京公网安备
11010502033163号