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巴斯夫开发高性能PPA 可用于下一代IGBT半导体外壳

盖世汽车

盖世汽车讯 10月14日,巴斯夫(BASF)为下一代电力电子产品开发出一种特别适用于制造IGBT(绝缘栅双极晶体管)半导体外壳的聚邻苯二甲酰胺(PPA)——Ultramid®Advanced N3U41 G6,可满足电动汽车、高速列车、智能制造和可再生能源发电等领域对高性能、可靠电子元件日益增长的需求。电力电子技术公司赛米控丹佛斯(Semikron Danfoss)目前将巴斯夫PPA用作其Semitrans 10 IGBT的外壳材料,该IGBT可以安装在光伏和风能系统的逆变器中。Ultramid®Advanced N级材料具有出色的耐化学性和尺寸稳定性,可增强这些IGBT的鲁棒性、长期性能和可靠性,从而满足市场对节能、更高功率密度和更高效率日益增长的需求。IGBT能够有效地切换和控制电力电子产品中的电路。

巴斯夫开发高性能PPA 可用于下一代IGBT半导体外壳

来源:第一电动网

作者:盖世汽车

本文地址:https://www.d1ev.com/news/shichang/250278

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