盖世汽车讯 据外媒报道,东芝电子欧洲分公司(Toshiba Electronics Europe)推出一对采用其最新U-MOS IX-H工艺的车规级40V N沟道功率MOSFET。新器件采用新型S-TOGLTM(Small Transistor Outline Gull-wing Leads,小型晶体管鸥翼引线)封装,可在汽车应用中提供多种优势。
图片来源:东芝
来源:盖世汽车
作者:刘丽婷
本文地址:https://www.d1ev.com/news/jishu/212471
以上内容转载自盖世汽车,目的在于传播更多信息,如有侵仅请联系admin#d1ev.com(#替换成@)删除,转载内容并不代表第一电动网(www.d1ev.com)立场。
文中图片源自互联网,如有侵权请联系admin#d1ev.com(#替换成@)删除。