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东芝推出第三代碳化硅MOSFET 可降低开关损耗

盖世汽车 刘丽婷

盖世汽车讯 据外媒报道,东芝电子元件及存储装置株式会社(Toshiba,东芝)推出采用有助于降低开关损耗4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅(SiC)MOSFET,即TWxxxZxxxC系列。该产品采用东芝最新的第三SiC MOSFET芯片,用于支持工业设备应用。该系列产品共有10款,其中5款额定电压为650V,另外五款额定电压为1200V,并均已开始批量出货。

东芝推出第三代碳化硅MOSFET 可降低开关损耗

图片来源:东芝

来源:盖世汽车

作者:刘丽婷

本文地址:https://www.d1ev.com/news/jishu/209586

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