8月10日，据韩媒《首尔经济日报》报道，三星电子在HBM4内存技术上取得显著进展，良率已接近80%，有望提前实现2026年底的目标。今年2月，三星电子初步量产HBM4时，良率仅为60%，远未达到大规模商业化所需水平。随着良率的提高，三星电子已确保能在HBM4上获得丰厚回报，愿意将更多DRAM晶圆产能分配到HBM4上。

业内消息源称，三星电子计划将本季度的HBM4销售额扩大到上季度的3倍以上，最终将其在下半年整体HBM中的营收占比扩展到60%以上，并在年底前获得与整体DRAM市场份额相当的HBM市占。这一举措将加速三星电子HBM4产能爬坡进程，进一步巩固其在高性能内存市场的领先地位。