3月18日，三星电子存储器开发副总裁황상준在GTC2026上透露，三星将对HBM内存技术进行升级。在HBM5和HBM5E世代，三星计划分别升级HBM内存的基础（逻辑）裸片和DRAM裸片的工艺，其中基础裸片将从4nm工艺升级到2nm工艺，DRAM裸片则从1cnm工艺升级到1dnm工艺。与此同时，HBM4E的制程将与HBM4保持一致，均为4nm和1cnm工艺。

三星电子将HBM4视为公司HBM内存业务的重中之重，目标是占据超过一半的市场份额。为了实现这一目标，三星电子计划加速HBM技术的开发，以实现与英伟达同步的每年迭代更新速度。这一战略将有助于三星在高性能内存市场中保持领先地位，并满足日益增长的高性能计算需求。