1月28日，韩国AI芯片企业FuriosaAI宣布，其第二代AI加速器RNGD正式量产。RNGD芯片基于台积电5nm工艺，配备256MB片上SRAM缓存并集成两堆栈共48GB的HBM3内存，拥有512TFLOPS的INT8算力，TDP功耗180W。该芯片主打能效，面向供电能力有限的现有风冷数据中心基础设施，支持GPT-OSS120B（双卡）、Qwen2.5等模型。

FuriosaAI在RNGD上提供两种形态的产品：独立的PCIeAIC卡、八卡NXTRNGD“交钥匙”4U服务器解决方案。随着合作伙伴台积电与华硕交付首批4000台设备，RNGD的量产标志着FuriosaAI在AI加速器领域的进一步发展。