6月5日，理想汽车在第37届ISPSD会议上发表了关于1200V汽车级碳化硅MOSFET芯片的论文，揭示了一类隐藏极深的“问题芯片”。这些芯片在严苛的工作环境下存在突然烧毁的风险，但因满足行业内现有测试标准而被视为合格产品。理想自研SiC芯片团队通过30万颗芯片的测试数据分析，发现了这类芯片，并提出了从碳化硅晶体生长工艺着手解决问题的办法，对提升SiC芯片可靠性具有重要意义。

理想汽车的研究发现，这些内部存在缺陷的SiC芯片在外观上看似正常，能够通过下线测试，但长时间使用后存在“半路撂挑子”的风险，可能导致严重的车辆故障。SiC芯片在电动汽车中扮演着将高压直流电转换为交流电的角色，对电动汽车的高压快充和瞬间加速至关重要。理想汽车的论文不仅展示了芯片失效的原因，还介绍了如何制造具备透视能力的“CT机”来识别问题芯片。